集成電路用超純水設(shè)備【武漢純水設(shè)備】

在超大規(guī)模集成電路的超純水系統(tǒng)中，水質(zhì)的主要指標(biāo)為：電阻率、微粒、TOC(總有機(jī)硅)、堿土金屬、重金屬、溶解氧等。在制造過程中，與硅片接觸的水所含離子越多，對產(chǎn)品良品率影響就越大。

電阻率反映了超純水中離子的含量，超純水的電阻率越高，離子含量越低，其純度也就越高。一般來講，在25℃時，理論純水的最高電阻率是18.25MΩ·cm。

集成電路的超純水制備系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)原水水質(zhì)及生產(chǎn)工藝所需水質(zhì)來確定，一般采用預(yù)處理裝置、反滲透裝置、EDI模塊、后處理系統(tǒng)。

預(yù)處理裝置可有效去除水中所含的懸浮物、膠體、高分子有機(jī)物等雜質(zhì)。活性炭對去除TOC有非常好的效果，為防止微生物滋生，應(yīng)將活性炭的進(jìn)水調(diào)成酸性。

反滲透裝置對預(yù)處理的出水進(jìn)一步進(jìn)行處理，去除殘留的TOC。

EDI模塊可連續(xù)不間斷產(chǎn)出純水，進(jìn)一步提高且穩(wěn)定產(chǎn)水水質(zhì)。

后處理系統(tǒng)裝置主要有混合離子交換、UV(紫外線)、一級拋光等。混合離子交換可去除殘留下來的TOC和SiO2；UV用來去除純水中的細(xì)菌、微生物；一級拋光采用高純樹脂，用來處理金屬離子。武漢反滲透純水設(shè)備武漢EDI超純水處理設(shè)備 武漢工業(yè)純水設(shè)備 武漢實驗室超純水設(shè)備 武漢純化水設(shè)備